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アンプは高性能GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタMMICです。ダーリントン構成は優れた熱性能で優れた帯域幅性能を提供します。ヘテロ接合はブレークダウン電圧を増加させ、接合間のリード線電流を最小限に抑えます。単一の正点供給電圧のみ。DCブロッキングコンデンサ、バイアス動作には抵抗とオプションのRFチョークが必要です。

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