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アプリケーション：
● if＆driverアンプ
● セルラー,pcs, gsm , umts .
● 無線日付,衛星端末.
ブランド:
OEI商品番号。:
SG850商品在庫:
100000支払い:
TT/LC出荷港:
Shenzhenリードタイム：
According to Order Quanlity重さ：
250g 製品の特徴
● 4GHzまでの広帯域フラットゲイン
● ip3 u003d 38dbm @ 1950mhz
● p1db u003d 20dbm @ 1950mhz
● シングル+5V電源
● 1000vesd,クラスIC
● MSL1水分評価
説明：
sg850 mmicアンプ は、アクティブバイアスネットワークを備えたダーリントン構成を利用した高性能ingap HBT MMICアンプです.アクティブバイアスネットワークは、5V電源から直接動作するように設計された.温度とプロセスベータ変動.にわたって安定した電流を提供します。一般的なダーリントンアンプと比較して、ドロップ抵抗を必要としません. SG850製品は、小型で最小限の外付け部品を必要とする高直線性の5Vゲインブロックアプリケーション向けに設計されています.。
シンボル パラメータ ユニット 周波数 min . typ . max .G 小信号ゲインdB 240MHz 850mhz 1950mhz 2500mhz 19 . 3 19 . 3 18 . 5 18 . 0 20 . 8 20 . 5 19 . 7 19 . 5 22 . 2 22 . 2 21 . 5 21 . 0 p1db 1dbでの出力電力 圧縮 dbm 850mhz 1950mhz 19 . 0 20 . 4 20 . 0 oip3 3次インターセプトポイント dbm 240MHz 850mhz 1950mhz363836 38 . 0 40 . 0 38 . 1 帯域幅 vswr：最大2 . 0 mhz 4000 入力vswr 入力リターンロス 比率 1950mhz 1 . 2 1 . 6 出力vswr 出力リターンロス 比率 1950mhz 1 . 6 2 . 0 s12 逆分離dB 1950mhz23 NF 雑音指数dB 1950mhz3 4 . 0 VD デバイスの動作電圧V 70 5 . 0 5 . 5 ID デバイスの動作電流mA80 90 rth , j-l 熱抵抗 ℃/w68 試験条件：vs ＝ 5v id ＝ 80ma typ.OIP3トーン間隔u003d1mhz, pout per ton u003d 5 dbm tlu003d25℃ZSu003dZLu003d50オーム
関連タグ :
Eメール : info@pinsignal-tech.com
3F/L,Building B1,Glory Technology Industrial Park Baolong 5th Road,LongGang District,Shenzhen City,GuangDong.
