製品仕様のダウンロード：smo-p22 . pdf 特徴● 優れた直線性● 非常に低いノイズ● 優れた平坦性● 頑丈な構造● fc / apc● agc＆wdm関数 説明 smo-p22 agc光受信機モジュール 低電力,ですが、優れた性能の光受信機.内部に出力を生成するAGC回路 -10〜0dbm .の範囲で安定したレベル、小さなサイズで組み立て可能なFCコネクタ付き ケース. 特徴 （帯域幅45〜1000MHZ; tmb ＝25℃, VB ＝ 5V , zs ＝ zl ＝75Ω） シンボル パラメータ 単位 min . typ . max . 条件s それに応じて a / w 0 . 85 λu003d1550nmFL 周波数応答の平坦性dB ±1.0 f u003d 47〜1000 MHZVO RF出力電圧 dbmv80 81±183 -10dbmの光パワー入力範囲 〜0dbm オミ 光変調指数 ch％ 4 . 0△S 光反射減衰量dB45 光ファイバコネクタ 代表的な光コネクタ（緑色） fl1 周波数応答の平坦性dB- ±1.0 ±1.5 f u003d 45〜1000MHZ,広帯域平坦度 fl2 周波数応答の平坦性dB- ±0.4 7MHzあたりの狭い帯域幅SL スロープdB0 1 . 53 45〜1000mhzからS22 出力リターンロスdB -12-- f u003d 45〜870 mhzS22 出力リターンロスdB -12-- f u003d 871〜1000 mhz 電力を受け取る自動利得制御：-8〜0dbm（顧客の要件に応じて） vo1 出力電圧 dbuv8083 popt u003d -10〜0dbm bw u003d 45〜1000mhz 42チャンネル tu003d25℃ omi u003dチャンネルあたり4％ vo2 出力電圧 dbuv80 83 . 5 popt u003d -10〜0dbm bw u003d 45〜1000mhz 42チャンネル t u003d 0〜40℃ omi u003dチャネルあたり4％ ctb コンポジットトリプルビートdB-- -60 光パワー-3dbm 42チャンネル pal-d . 175 . 25mhz omi u003dチャネルあたり4％ cso 複合2次歪みdB-- -60 c-スプリアス スプリアスへのキャリアdB-- -60 ctb コンポジットトリプルビートdB-- -60 光パワー-8dbm 42チャンネル pal-d . 175 . 25mhz omi u003dチャネルあたり4％ cso 複合2次歪みdB-- -60 c-スプリアス スプリアスへのキャリアdB-- -60 ご注意ください： vo1は、-8dbm〜0dbm .からの光学的変化に応じて変化します。たとえば、-8dbmでは,、出力レベルは80dbuv ,ですが、0dbmでは出力レベルは82dbuv.である可能性があります。 vo2は温度変化に応じて変化します.例：温度が40℃に留まると,出力レベルは25℃よりも0.5db低くなります.温度が0℃にとどまると,出力レベル25℃.よりも0.5db高くなります 製品の詳細について知りたい場合は,返信してe-catelogとFOCサンプルを入手してください,ありがとうございます.

avg1009 . pdf 仕様： brande：oei 部品番号：mmic-avg1009 製品の原産地：中国 リードタイム：注文量による moq：> u003d 1000 無料サンプル：サポート 支払い：tt / lc 製品の特徴● -15dbm〜-5dbmの光入力範囲.● シングル+5Vsuppl● 55MHzで29dbゲイン； 1で34dbゲイン● 22dbゲインコントロールが実行されました● 550で+24dbmv/ch出力● 鉛フリー/RoHS準拠のQFN4X4－ 24Lパッケージ 製品性能（ta u003d 25℃） シンボル parameter1 ユニット 周波数 min . typ . max .G トランスインピーダンス （max .ゲイン状態）dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz 26 . 5 31 . 0 31 . 5 29 . 0 33 . 0 34 . 0 30 . 5 35 . 0 35 . 5GT ゲインチルトdB7 g範囲 ゲイン制御範囲dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz 25 . 5 23 . 0 24 . 0 29 . 0 26 . 0 27 . 0 32 . 0 29 . 0 30 . 0 vagc agcコントロール 電圧範囲V+3-0RL 出力リターンロスdB 0 . 05-1 ghz -18 ein2 同等の入力 ノイズ pa / rthz 0 . 05-1 ghz 3 . 2 idd 減衰器電流mA vdd u003d + 5v 160 170 180 1.特に指定のない限り.75オームシステムでのすべての測定, 最大ゲインで指定された2.（vagc u003d + 3v）.

アプリケーション：● if＆driverアンプ● セルラー,pcs, gsm , umts .● 無線日付,衛星端末.

アプリケーション：● リピータ● rfサブシステム● 基地局● コンバータ● ftth（g-pon , ge-pon）● catv

agc1011 . pdf 製品の特徴● 40-1000mhzの動作周波数範囲.● 高い直線性,60dbcCTB /CSO135チャネル@ + 20dbmv / ch .● 55MHzで41dbゲイン； 1000MHzで41.5dbゲイン● 高い動的ゲイン範囲,24dbゲイン制御 range,は12dbmの光学範囲.をサポートします● 単一電源,単一+5Vsup● 低消費電力,1rfで180mA 5V供給電圧での出力.● 鉛フリー/RoHS準拠qfn4x4－ 24リットル パッケージ. 製品性能（ta u003d 25℃） シンボル parameter1 ユニット 周波数 min . typ . max .G トランスインピーダンス （max .ゲイン状態）dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz- 41 . 0 41 . 0 41 . 5- g範囲 ゲイン制御範囲dB-24- p-1db dbm 0 . 45ghz- 20 . 5- oip3 出力ip3 dbm 0 . 45ghz-34-RL 出力リターンロスdB 0 . 05-1 ghz- -15- idd 減衰器電流mA vdd u003d + 5v 160 180 200 1.特に指定のない限り.75オームシステムでのすべての測定, 最大ゲインで指定された2.. 3.制御電圧が変更されると,減衰が変更されます,減衰ゲイン 偏差は±1.5db.です

SMG1025DM.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1025DMは GaAsハイブリッドパワーダブルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、50MHzから1003MHzで動作します. + 24V（DC）電源付き

SMG1029.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 29dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1029は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1000MHzで動作します. GaAsプッシュプルモジュール

SMG1034PM.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 34dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1034PMは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、50MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で1003MHz