SMG1222 / CATV GaAs / GaNプッシュプルモジュール

SMG1224.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1224は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1225.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1225は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1225DG.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1225DGは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1227.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 27dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1227は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG8346.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 34dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 信頼性の高い側面図● 低価格 説明 SMG8346は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、50MHzから 供給電圧+ 6v（DC）で870MHz

avg1009 . pdf 仕様： brande：oei 部品番号：mmic-avg1009 製品の原産地：中国 リードタイム：注文量による moq：> u003d 1000 無料サンプル：サポート 支払い：tt / lc 製品の特徴● -15dbm〜-5dbmの光入力範囲.● シングル+5Vsuppl● 55MHzで29dbゲイン； 1で34dbゲイン● 22dbゲインコントロールが実行されました● 550で+24dbmv/ch出力● 鉛フリー/RoHS準拠のQFN4X4－ 24Lパッケージ 製品性能（ta u003d 25℃） シンボル parameter1 ユニット 周波数 min . typ . max .G トランスインピーダンス （max .ゲイン状態）dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz 26 . 5 31 . 0 31 . 5 29 . 0 33 . 0 34 . 0 30 . 5 35 . 0 35 . 5GT ゲインチルトdB7 g範囲 ゲイン制御範囲dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz 25 . 5 23 . 0 24 . 0 29 . 0 26 . 0 27 . 0 32 . 0 29 . 0 30 . 0 vagc agcコントロール 電圧範囲V+3-0RL 出力リターンロスdB 0 . 05-1 ghz -18 ein2 同等の入力 ノイズ pa / rthz 0 . 05-1 ghz 3 . 2 idd 減衰器電流mA vdd u003d + 5v 160 170 180 1.特に指定のない限り.75オームシステムでのすべての測定, 最大ゲインで指定された2.（vagc u003d + 3v）.

SMG8342M1.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 34dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG8342M1は GaAsモジュール. この部品はGaASダイを採用しており、電源+ 24V（DC）で50MHzから870MHzで動作します

SMG1025.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1025は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、50MHzから 1000MHz、供給電圧+ 24V（DC）