SMG1224 / CATV GaAs / GaNプッシュプルモジュール

SMG1222.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 22dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1222は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1225.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1225は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1225DG.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 25dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1225DGは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG1227.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 27dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1227は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

製品仕様のダウンロード：smo-p22 . pdf 特徴● 優れた直線性● 非常に低いノイズ● 優れた平坦性● 頑丈な構造● fc / apc● agc＆wdm関数 説明 smo-p22 agc光受信機モジュール 低電力,ですが、優れた性能の光受信機.内部に出力を生成するAGC回路 -10〜0dbm .の範囲で安定したレベル、小さなサイズで組み立て可能なFCコネクタ付き ケース. 特徴 （帯域幅45〜1000MHZ; tmb ＝25℃, VB ＝ 5V , zs ＝ zl ＝75Ω） シンボル パラメータ 単位 min . typ . max . 条件s それに応じて a / w 0 . 85 λu003d1550nmFL 周波数応答の平坦性dB ±1.0 f u003d 47〜1000 MHZVO RF出力電圧 dbmv80 81±183 -10dbmの光パワー入力範囲 〜0dbm オミ 光変調指数 ch％ 4 . 0△S 光反射減衰量dB45 光ファイバコネクタ 代表的な光コネクタ（緑色） fl1 周波数応答の平坦性dB- ±1.0 ±1.5 f u003d 45〜1000MHZ,広帯域平坦度 fl2 周波数応答の平坦性dB- ±0.4 7MHzあたりの狭い帯域幅SL スロープdB0 1 . 53 45〜1000mhzからS22 出力リターンロスdB -12-- f u003d 45〜870 mhzS22 出力リターンロスdB -12-- f u003d 871〜1000 mhz 電力を受け取る自動利得制御：-8〜0dbm（顧客の要件に応じて） vo1 出力電圧 dbuv8083 popt u003d -10〜0dbm bw u003d 45〜1000mhz 42チャンネル tu003d25℃ omi u003dチャンネルあたり4％ vo2 出力電圧 dbuv80 83 . 5 popt u003d -10〜0dbm bw u003d 45〜1000mhz 42チャンネル t u003d 0〜40℃ omi u003dチャネルあたり4％ ctb コンポジットトリプルビートdB-- -60 光パワー-3dbm 42チャンネル pal-d . 175 . 25mhz omi u003dチャネルあたり4％ cso 複合2次歪みdB-- -60 c-スプリアス スプリアスへのキャリアdB-- -60 ctb コンポジットトリプルビートdB-- -60 光パワー-8dbm 42チャンネル pal-d . 175 . 25mhz omi u003dチャネルあたり4％ cso 複合2次歪みdB-- -60 c-スプリアス スプリアスへのキャリアdB-- -60 ご注意ください： vo1は、-8dbm〜0dbm .からの光学的変化に応じて変化します。たとえば、-8dbmでは,、出力レベルは80dbuv ,ですが、0dbmでは出力レベルは82dbuv.である可能性があります。 vo2は温度変化に応じて変化します.例：温度が40℃に留まると,出力レベルは25℃よりも0.5db低くなります.温度が0℃にとどまると,出力レベル25℃.よりも0.5db高くなります 製品の詳細について知りたい場合は,返信してe-catelogとFOCサンプルを入手してください,ありがとうございます.

アプリケーション：● リピータ● ftth（g-pon , ge-pon）● catv

SMG1227.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 27dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1227は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で50 MHz〜1218MHzで動作します

SMG2342R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 35dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2342Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、5MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で200MHz