SMG2302R / CATVリバースアンプモジュール

SMG2242R.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24.5dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2242Rは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

SMG2301R.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 30dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2301Rは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

SMG2342R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 35dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2342Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、5MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で200MHz

SMG3242R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24.5dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG3242Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で10 MHz〜300MHzで動作します

SMG3302R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 30dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG3302Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、10MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で300MHz

SMG3352R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 35dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG3352Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で10 MHz〜300MHzで動作します

agc1011 . pdf 製品の特徴● 40-1000mhzの動作周波数範囲.● 高い直線性,60dbcCTB /CSO135チャネル@ + 20dbmv / ch .● 55MHzで41dbゲイン； 1000MHzで41.5dbゲイン● 高い動的ゲイン範囲,24dbゲイン制御 range,は12dbmの光学範囲.をサポートします● 単一電源,単一+5Vsup● 低消費電力,1rfで180mA 5V供給電圧での出力.● 鉛フリー/RoHS準拠qfn4x4－ 24リットル パッケージ. 製品性能（ta u003d 25℃） シンボル parameter1 ユニット 周波数 min . typ . max .G トランスインピーダンス （max .ゲイン状態）dB 0 . 05 ghz 0 . 87 ghz 1ghz- 41 . 0 41 . 0 41 . 5- g範囲 ゲイン制御範囲dB-24- p-1db dbm 0 . 45ghz- 20 . 5- oip3 出力ip3 dbm 0 . 45ghz-34-RL 出力リターンロスdB 0 . 05-1 ghz- -15- idd 減衰器電流mA vdd u003d + 5v 160 180 200 1.特に指定のない限り.75オームシステムでのすべての測定, 最大ゲインで指定された2.. 3.制御電圧が変更されると,減衰が変更されます,減衰ゲイン 偏差は±1.5db.です

SMG1022.PFD 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 22dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG1022は GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、50MHzから 1000MHz、供給電圧+ 24V（DC）