SMG3352R / CATVリバースアンプモジュール

SMG2242R.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24.5dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2242Rは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

SMG2301R.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 30dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2301Rは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

SMG2302R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 30dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2302Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

SMG2342R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 35dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2342Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、5MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で200MHz

SMG3242R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24.5dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG3242Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で10 MHz〜300MHzで動作します

SMG3302R.PDF 特徴● Siアクティブデバイス● パワーゲイン@ 30dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG3302Rは ハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、10MHzから 供給電圧+ 24V（DC）で300MHz

SMG2242R.PDF 特徴● GaAsアクティブデバイス● パワーゲイン@ 24.5dB● 低歪み● 優れた線形ゲイン● 低雑音指数● 高信頼性● 低価格 説明 SMG2242Rは GaAsハイブリッドプッシュプルアンプモジュール. この部品はGaAsダイを採用しており、供給電圧+ 24V（DC）で5 MHz〜200MHzで動作します

製品仕様のダウンロード：smo105a-ddm . pdf 特徴● -8dbmから+2dbmの範囲で制御される光入力● 単一の+5V電源● 非常に低いノイズ● 帯域幅1000mh● 高精度の温度を監視します● RF信号の開閉を制御できます● fc / apc sc / apc 説明 the smo105a-ddm agc光受信機モジュール FC/APCまたはSC/APCコネクタ.アンプ供給電圧ピンを接続します 5v（dc）.モジュールには、1300〜1600nmの波長の端子に適したモノモード光入力があります。 フォトダイオード電流と特性インピーダンス75の電気出力を監視しますΩ. 特徴 （帯域幅40〜1000MHZ; tmb ＝25℃, VB ＝ 5V , zs ＝ zl ＝75Ω） シンボル パラメータ 単位 min . typ . max . 条件s それに応じて v / w 850-- λu003d1300nm-1600nmFL 周波数応答の平坦性dB- ±0.75- f u003d 40〜1000 mhzVo 出力電圧 dbuv798081 popt u003d -8〜 + 2dbm , f u003d 550mhz , ctb コンポジットトリプルビートdB-- -62 光入力パワーでテスト –1dbm .84PAL-Dチャネル ds22 , omi u003d 3 . 5％/チャネル cso 複合2次歪みdB-- -61 cnr ノイズキャリア評価dB-50-S22 出力リターンロスdB -12-- f u003d 40〜1000 mhzI トット 総消費電流mA 230 250 280 vb u003d 5v モジュールは通常VBu003d5vで動作します 製品の詳細について知りたい場合は,返信してe-catelogとFOCサンプルを入手してください,ありがとうございます.